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테크노트 삼성전자, 플래시 메모리 난제 해결...세계적 학술지 게재

삼성전자는 세계 정상급 학술지인 '어드밴스드 머티리얼스'(Advanced Materials)에 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다. 삼성전자 혁신센터 CSE(Computational Science and Engineering)팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다. 논문에는 CSE팀 최운이 박사가 제1저자 및 교신저자로 참여했으며, 김대신 상무와 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(구 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 참여했다. 이번 연구는 그동안 간과했던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의미가 있다는 것이 삼성전자의 설명이다. 최근까지도 원자 수준에서는 플래시 메모리의 근본적인 저장 메커니즘에 대한 논쟁과 연구가 지속됐다. 셀을 수직으로 쌓아 올려 저장 용량을 극대화하는 V낸드 기술도 세대를 거듭하면서 고도의 미세화가 필요한 상황에서 원자 수준에서 일어나는 현상에 대한 근본적인 이해 없이는 메모리 기술 혁신을 이뤄내기 힘든 단계에 직면했다. 특히 비정질 실리콘 질화물에 전자를

이창현 기자

2023-12-14 14:51

일반뉴스 삼성전자, 8세대 V낸드 기술 확보…1천단 V랜드 시대도 주도할 것

헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 날로 기술경쟁이 치열해지는 낸드플래시 부문에서 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했으며, 향후 1천단 낸드 시대도 주도해나갈 것이라며 자신감을 피력했다. 삼성전자의 플래시 개발실장 송재혁 부사장은 6월 8일 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 "낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 것"이라며 "삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 '3차원 스켈링(3D Scaling)' 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것"이라며 이같이 밝혔다. 송 부사장은 자사가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 설명했다. 삼성전자가 올해 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 다른 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기로, 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품의 크기가 더 작다는 의미다. 송 부사장은 "현재 삼성전자가 200단이 넘는 8세대 차세대 낸드 동작 칩도 확보했다"고 소개하고 "시장 상황과 고객의 요구에 따라 적기에 제품을 선보이기 위해 만반의 준비를

조상록 기자

2021-06-08 20:44