SK시그넷은 5일(현지시간) 미국 텍사스 플라노시에 위치한 생산 공장 준공 행사를 성공적으로 마쳤다고 밝혔다. SK시그넷의 텍사스 생산 거점은 7월부터 생산, 판매를 시작할 예정이다. SK시그넷은 SK가 지난 2021년 약 2900억 원을 투자해 인수한 글로벌 전기차 충전기 제조사로, 세계 최대 전기차 시장인 미국에서 초급속 충전기(350kW급 이상) 시장 점유율 1위 기업이다. SK는 SK시그넷 인수를 통해 고품질의 충전기 제조 역량을 확보하고 ▲미국, 유럽시장 본격 공략 ▲선제적 R&D 투자 ▲제품 라인업 확대를 추진해 전기차 충전 시장에서 선도적인 입지를 구축한다는 전략이다. 이날 준공식에는 그레그 에벗 텍사스 주지사를 대신해 아드리아나 크루즈 경제개발국장, 존 먼스 플라노 시장 및 주미국대사관의 김준구 공사 등 한미 양국 정부 관계자도 대거 참석했다. SK그룹 북미 대외 협력 총괄 유정준 부회장과 서영훈 SK 첨단소재투자 센터 그룹장도 참석해 그룹 내 주력 성장산업에 대한 기대를 보였다. SK시그넷의 주요 고객사인 이브이고(EVgo), 레벨(Revel), 애플그린 일릭트릭(Apple Green Electric), 테라와트 인프라스트럭쳐(Terr
오늘날 사물 인터넷(IoT) 시장은 그 어느 때보다 경쟁이 뜨겁다. 최종 사용자는 배터리 수명에 영향을 주지 않으면서 비용과 크기가 줄어들기를 원하고, 동시에 더 많은 기능과 특징을 요구한다. 솔루션이 점점 더 복잡해지고 있기 때문에 시스템을 구축하기 위해 선택한 실리콘의 기능 세트를 추출할 수 있는 시스템 레벨 전문가가 필요해지고 있다. 시장의 요구에 부응하고 차별화를 유지하기 위해서는 민첩하고 유연해야 한다. 텍사스 인스트루먼트(TI)는 사용자가 스스로 효율적이고 효과적인 하드웨어 및 소프트웨어 개발 툴에 둘러싸여 있을 필요가 있다는 것을 알고 있다. 또한 IoT 시장은 여전히 핵심 기업이 자리 잡고 있는 기회의 땅이라는 것뿐 아니라, 혁신적인 새로운 솔루션을 처음 시장에 출시했을 때 그 제품은 해당 분야의 선두 주자로서 자리 잡을 수 있다는 것이다. TI의 SimpleLinkTM 플랫폼은 평가에서 프로토타이핑을 거쳐 개발 및 최적화에 이르기까지 단순하면서도 강력한 하드웨어 및 소프트웨어 툴들을 제공해, 사용자는 고객의 요구사항에 따라 신속하게 대응할 수 있다. 단일 개발 환경에서 사용하고 있는 SimpleLink 마이크로컨트롤러(MCU)에 상관없이, 일
최근 점점 더 많은 전자 기기들이 데이터 수집과 분석을 위해 중앙에 집중된 네트워크로 연결되고 있다. 인터넷에 연결되는 기기들은 공장의 공정 모니터링에 사용되는 산업용 센서나 지능형 화재 감지 시스템, 가정용 와이파이로 연결된 온도 조절기, 비디오 도어벨, 심지어 바비큐 온도계에 이르기까지 매우 다양하다. 커넥티비티 기능을 추가하고자 하는 욕구는 다양한 분야에서 늘 존재해 왔다. 하지만 하드웨어의 복잡성과 비용으로 인해 실행에 옮기는 것이 어려웠다. 최근 사용하기 쉽고 경제적인 무선 커넥티비티 모듈과 IC가 나오면서 이제 커넥티비티는 실행 가능한 옵션이 되었다. 이와 같이 노드가 상호 연결되면서 중요해진 트렌드 중 하나가 더 높은 성능과 국지적인 데이터 처리에 대한 요구이다. 예를 들어 무선 유리 파손 검출기를 생각해 보자. 이러한 검출기에서는 마이크로폰이나 진동 센서를 사용해 오디오 서명을 캡처한 후, 일반적으로 아날로그 체인의 맨 끝에 있는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 통해 신호를 통과시킨다. 그리고 나서 몇 가지 옵션이 있는데, 캡처된 전체 데이터 세트를 신호 처리하기 위해 중앙 허브로 전송하거나 아니면 데이터를 로컬에서 처리하는 것이다. 이러한
일반적인 산업시스템은 제어와 애플리케이션, 커넥티비티 기능을 필요로 한다. 제어 서브시스템은 모터의 작동과 피드백을 직접 관리하고 애플리케이션은 전체 동작을 지시한다. 또한 커넥티비티 서브시스템은 애플리케이션과 컨트롤 데이터를 다운로드하고 시스템을 원격 관리한다. 일반적으로 서브시스템의 핵심 기술에 대한 이해는 명확하다. 개발자는 고급 단계에서 전체적으로 성능과 정확성을 개선시키기 위해 끊임없이 새로운 방식을 시도한다. 이러한 기술이 무르익고 구현 비용이 감소함에 따라, 고급 애플리케이션에 이용되었던 솔루션은 그 가치사슬을 따라 이동한다. 오늘날 차세대 시스템 개발자가 직면한 과제는 원하는 애플리케이션에 적합한 높은 성능과 낮은 대기 시간, 높은 정밀성으로 더 나은 성능을 제공하는 점증적인 혁신이다. 시장 점유율을 높이려면, 새로운 피드백 알고리즘이나 저비용으로 위치 정확도 및 전류 감지 기능을 개선하는 등 더 나은 기능을 제공할 수 있어야 한다. 이를 위해 더 높은 성능과 큰 통합을 제공하는 프로세서가 필요하다. 그러나 이러한 접근 방식은 개발 비용을 증가시키고 시스템을 더 복잡하게 만든다. 결국 출시시기를 지연시켜 경쟁력까지 감소시킨다. 신기술 구현은 최
에너지 효율과 보존에 대한 요구가 높아지고 있는 가운데 동기 정류기(SR)는 USB 스마트폰 배터리 충전을 위해 오프라인 AC 전원을 5V로 변환할 때 효율성을 높이는 방안이 될 수 있다. 5V로 변환되는 동안 SR 컨트롤러 IC는 SR MOSFET에 적합한 드라이브를 제공하는 데 적절한 바이어스가 필요하다. 바이어스 전압은 USB 애플리케이션에서 통상 4V 이상이다. BC1.2 USB 배터리 충전 표준은 전원 어댑터 출력을 4.1V∼6V 범위에서 지정하므로, SR 컨트롤러 IC는 그림 1에 나타난 출력에서 바이어스할 수 있다. ▲ 그림 1. 출력 전압으로부터 SR 컨트롤러 바이어스 전압을 인가하는 플라이백 컨버터 출력 전압이 UVLO보다 낮게 떨어지면? 이러한 바이어스 방법은 간단하고 쉬우며 추가 비용도 거의 들지 않는다. 하지만 이 방법은 출력 전압이 4V 이상일 경우 적합하지만, VDD가 4V보다 낮게 떨어지면 SR 컨트롤러 IC는 미달 전압 록아웃(UVLO)으로 오프 상태가 된다. 이 경우 문제는 출력이 4V 미만으로 떨어져도 SR은 여전히 동작해야 한다는 점이다. 실제로 USB 스마트폰 애플리케이션에서는 출력이 3V로 떨어지기 전까지 SR이
ⓒGetty images Bank 최근 전자기기의 전력 수요가 커지면서 실행시간을 늘리기 위해 배터리 용량이 커지는 추세에 있다. 이때 USB 3.x를 이용하여 추가 전력을 허용하게 충전기의 입력 전류 한계를 높이면, 더 많은 충전 전류가 공급되어 보다 빠른 충전이 가능하다. 하지만 충전기가 열로 방산하는 손실이 커진다는 단점이 있다. 이 글에서는 듀얼 충전기를 사용한 열 관리 방법을 살펴본다. 충전용 배터리를 사용하는 전자기기의 전력 수요가 커지면서 실행시간을 더욱 늘리기 위해 배터리 용량이 커지는 추세다. 이때 높은 전력의 벽면 어댑터 및 5V, 9V, 12V에서 더 높은 전류를 공급하는 USB 3.x를 이용하여 추가 전력을 허용하게끔 충전기의 입력 전류 한계를 높이면, 더 많은 충전 전류가 공급되어 보다 빠른 충전이 가능하다. 하지만, 이럴 경우 충전기가 열로 방산하는 손실도 커진다. 지금까지는 충전-컨트롤러 IC를 가진 외부 FET를 꼼꼼히 배치함으로써 PCB 그라운드 평면 전체에 이러한 손실을 분배해왔다. 최근에는 소형 휴대 전자기기에 대한 높은 수요로 인해 IC 제조업체들이 집적 FET(I-FET)와 소형 패키징으로 배터리 충전기 IC를 개발할
ⓒGetty images Bank 최근 전자기기의 전력 수요가 커지면서 실행시간을 늘리기 위해 배터리 용량이 커지는 추세에 있다. 이때 USB 3.x를 이용하여 추가 전력을 허용하게 충전기의 입력 전류 한계를 높이면, 더 많은 충전 전류가 공급되어 보다 빠른 충전이 가능하다. 하지만 충전기가 열로 방산하는 손실이 커진다는 단점이 있다. 이 글에서는 듀얼 충전기를 사용한 열 관리 방법을 살펴본다. 충전용 배터리를 사용하는 전자기기의 전력 수요가 커지면서 실행시간을 더욱 늘리기 위해 배터리 용량이 커지는 추세다. 이때 높은 전력의 벽면 어댑터 및 5V, 9V, 12V에서 더 높은 전류를 공급하는 USB 3.x를 이용하여 추가 전력을 허용하게끔 충전기의 입력 전류 한계를 높이면, 더 많은 충전 전류가 공급되어 보다 빠른 충전이 가능하다. 하지만, 이럴 경우 충전기가 열로 방산하는 손실도 커진다. 지금까지는 충전-컨트롤러 IC를 가진 외부 FET를 꼼꼼히 배치함으로써 PCB 그라운드 평면 전체에 이러한 손실을 분배해왔다. 최근에는 소형 휴대 전자기기에 대한 높은 수요로 인해 IC 제조업체들이 집적 FET(I-FET)와 소형 패키징으로 배터리 충전기 IC를 개발할 수
최근 전자기기의 전력 수요가 커지면서 실행시간을 늘리기 위해 배터리 용량이 커지는 추세에 있다. 이때 USB 3.x를 이용하여 추가 전력을 허용하게 충전기의 입력 전류 한계를 높이면, 더 많은 충전 전류가 공급되어 보다 빠른 충전이 가능하다. 하지만 충전기가 열로 방산하는 손실이 커진다는 단점이 있다. 이 글에서는 듀얼 충전기를 사용한 열 관리 방법을 살펴본다. 충전용 배터리를 사용하는 전자기기의 전력 수요가 커지면서 실행시간을 더욱 늘리기 위해 배터리 용량이 커지는 추세다. 이때 높은 전력의 벽면 어댑터 및 5V, 9V, 12V에서 더 높은 전류를 공급하는 USB 3.x를 이용하여 추가 전력을 허용하게끔 충전기의 입력 전류 한계를 높이면, 더 많은 충전 전류가 공급되어 보다 빠른 충전이 가능하다. 하지만, 이럴 경우 충전기가 열로 방산하는 손실도 커진다. 지금까지는 충전-컨트롤러 IC를 가진 외부 FET를 꼼꼼히 배치함으로써 PCB 그라운드 평면 전체에 이러한 손실을 분배해왔다. 최근에는 소형 휴대 전자기기에 대한 높은 수요로 인해 IC 제조업체들이 집적 FET(I-FET)와 소형 패키징으로 배터리 충전기 IC를 개발할 수밖에 없었다. 이때 초기 설계 단계
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