[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 열 패드를 통합한 새로운 24V 듀얼-채널 하측 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다. ▲24V 듀얼-채널 하측 EiceDRIVER 이 게이트 드라이버는 높은 스위칭 주파수와 최고 피크 출력 전류로 동작하며, 인에이블 기능을 포함한다. 따라서 PFC, 동기 정류 등 높은 스위칭 주파수로 동작하는 애플리케이션뿐 아니라 병렬 MOSFET 애플리케이션 및 고전류 IGBT 모듈 용 트랜스포머 드라이버나 버퍼 드라이버에 적합하다. EiceDRIVER 2ED24427N01F는 10A 소스 및 싱크 전류 구동, 저전압 록아웃 보호와 로직 레벨 인에이블 제어 기능을 포함한 대칭 출력 스테이지를 제공한다. 이 게이트 드라이버는 열효율이 높은 노출 패드를 적용한 DSO-8 패키지로 제공된다. 55ns 전달 지연과 채널당 450mΩ(최대) 소스 및 싱크 온 저항은 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하고 전력 트랜지스터의 스위칭 손실을 낮춘다. 통합된 열 패드는 매우 낮은 열 저항을 제공해 고전류 조건이나 높은 스위칭 주파수에서 낮은 온도로 안정적으로 동작하도록 한다. 2ED24427N01F는 산업용 온도 범위(150℃)로 동작한다. EiceDRIVE
[헬로티] 시장조사기관인 Omdia은 인피니언 테크놀로지스가 MEMS 마이크로폰 시장의 리더로 자리매김했다고 밝혔다. ▲차세대 아날로그 MEMS 마이크로폰 'XENSIV IM73A135' 인피니언은 MEMS 칩 판매량 기준 시장 점유율 43.5%로 1위를 차지하면서, 2위와 거의 4%, 3위와는 37% 이상 격차를 벌렸다. 이는 인피니언이 MEMS 마이크로폰 설계와 대량 생산에 대한 경험으로 뛰어난 소비자 경험을 제공했다는 것으로 해석된다. 한편, 인피니언은 차세대 아날로그 MEMS 마이크로폰 'XENSIV IM73A135'를 출시한다. 설계자는 마이크로폰에 있어 높은 신호대 잡음비(SNR), 소형 패키지, 높은 음향 과부하점(AOP : Acoustic Overload Point), 낮은 전력 소모, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 또는 ECM(Electret Condenser Microphones) 타입과 같은 여러 부분을 고려해야 한다. 기존의 높은 성능의 마이크로폰이 요구되는 애플리케이션에서는 MEMS 대신 여전히 ECM이 사용돼왔지만, IM73A135는 그에 대한 대안이 될 수 있다. 이 신규 MEMS 마이크로폰은
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자동차용 실리콘 카바이드 제품인 CoolSiC 쇼트키 다이오드 제품군을 출시했다. CoolSiC은 하이브리드카 및 전기차의 온보드 차저(OBC) 애플리케이션에 사용하기에 적합하며, 신뢰성, 품질, 성능에 관한 자동차 업계의 엄격한 요구를 충족하도록 설계되었다. 인피니언 오토모티브 고전력 사업부의 스테판 지잘라(Stephan Zizala) 부사장은 “SiC 기술이 자동차 시스템에 본격적으로 사용될 수 있을 만큼 성숙했다. 이번 자동차용 CoolSiC 쇼트키 다이오드 제품군 출시는 온보드 차저, DC/DC 컨버터, 인버터 시스템 용 인피니언 SiC 제품 포토폴리오 구축에 있어 중요한 이정표”라고 말했다. 인피니언의 5세대 쇼트키 다이오드에 기반한 CoolSiC은 자동차 업계가 요구하는 신뢰성 요구를 충족하도록 향상되었다. 새로운 패시베이션 레이어(passivation layer) 기법을 적용함으로써 습도와 부식에 대해서 현재 시중 제품 중에서 가장 견고성이 뛰어난 자동차용 제품이다. 또한 110µm 박막 웨이퍼 기술로 동급 최고의 FOM(Qc x Vf)을 달성한다.
카이스트 전기및전자공학부 최양규 교수 연구팀이 국민대학교 최성진 교수와의 공동 연구를 통해 탄소나노튜브를 위로 쌓는 3차원 핀(Fin) 게이트 구조를 이용해 대면적의 탄소나노튜브 반도체를 개발했다. ▲ 그림 1. 3차원 구조의 탄소나노튜브 전자소자의 모식도 및 실제 SEM 이미지 탄소나노튜브로 제작된 반도체는 실리콘 반도체보다 빠르게 동작하고 저전력이기 때문에 성능이 훨씬 뛰어나다. 그러나 대부분의 전자기기는 실리콘 재질로 만들어진 반도체를 이용한다. 높은 순도와 높은 밀도를 갖는 탄소나노튜브 반도체의 정제가 어렵기 때문이다. 탄소나노튜브의 밀도가 높지 않아 성능에 한계가 있었고 순도가 낮아 넓은 면적의 웨이퍼(판)에 일정한 수율을 갖는 제품을 제작할 수 없었다. 이러한 특성들은 대량 생산을 어렵게 해 상용화를 막는 걸림돌이었다. 연구팀은 문제 해결을 위해 3차원 핀 게이트를 이용해 탄소나노튜브를 위로 증착하는 방식을 사용했다. 이를 통해 50나노미터 이하의 폭에서도 높은 전류 밀도를 갖는 반도체를 개발했다. 일반적으로 3차원 핀 구조는 1마이크로미터 당 600개의 탄소나노튜브 증착이 가능해 약 30개 정도만을 증착할 수 있는 2차원 구조에 비해 20배 이상
오늘날의 자동차에서 첨단운전자지원시스템(ADAS)을 탑재하고 자율주행차로 이행하는 데에는 여러 단계가 있다. 자동차 업계는 이미 첫 번째 단계인 부분적 자율 주행에 도달했지만, 완전 자율주행차는 2025년 이후나 돼야 가능할 것으로 예상된다. 적응형 순항 제어(ACC), 자동 제동 및 주차 지원과 같은 기능들이 이미 탑재되고 있지만, 완전 자율주행차 구현을 위해서는 많은 기술적 혁신 뿐만 아니라 적합한 법제도 환경 조성을 필요로 한다. 이 글은 반도체 관점에서 완전 자율주행차 구현에 필요한 여러 단계들을 설명하고, 관련된 시스템 요구사항과 커넥티드 차량의 보안 측면을 함께 살펴볼 것이다. 국제자동차공학회(SAE)는 차량 자율주행을 6단계로 구분하고 있다. 독일 자동차산업협회(VDA)는 유사한 분류를 정의하고 있으며, 이 밖에 차량의 자율주행 단계에 대한 다른 정의들도 광범위하게 시행되고 있다. 예를 들어 미국의 도로교통안전국(NHTSA)에서는 6가지 분류 대신 5가지 단계로 구분한다. 모든 운전 기능을 운전자가 수행하는 차량으로부터 완전히 자동적으로 운전하는 시스템까지 일련의 발전은 각각의 자율주행 레벨에 따라 단계별로 실현된다(그림 1). SAE에 따르면,
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