▲NI의 고집적도 소스 측정 장치(SMU) PXIe-4163 [첨단 헬로티] 내쇼날인스트루먼트(이하 NI)가 고집적도 소스 측정 장치(SMU) PXIe-4163을 발표했다. 이 제품은 테스트 RF, MEMS, 혼합 신호 및 기타 아날로그 반도체 부품을 테스트하기 위한 기존의 NI PXI SMU보다 6배 향상된 DC 채널 집적도를 제공한다. NI의 글로벌 세일즈 및 마케팅 부사장인 에릭 스타크로프(Eric Starkloff)는 "5G, IoT(사물 인터넷), 자율주행차처럼 매우 획기적인 기술로 인해, 반도체 생산업체는 개발에서 양산에 이르기까지 더 효율적인 반도체 테스트 방식을 발전시키고 도입해야 하는 부담을 지속적으로 안고 있다”라고 말하고, “반도체 테스트는 NI가 전략적으로 주력하는 분야이다. 당사는 반도체 제조업체가 주요 당면 과제를 해결할 수 있도록 소프트웨어 플랫폼과 PXI의 기능을 확장하고 있으며, 이 최신 PXI SMU가 그 대표적인 예이다"라고 밝혔다. 반도체 제조업체는 양산 라인의 비용과 사용 공간을 활용해 스루풋 및 성능에 대한 반도체 테스트 시스템(STS)을 빠르게 도입하고 있다. 새로 출시된 PXIe-4163 SMU
[헬로티] 텍트로닉스가 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템을 발표했다. 키슬리 S540 전력 반도체 테스트 시스템은 최대 3kV의 전력 반도체 소자 및 반도체 구조의 웨이퍼 수준 테스트를 위한 완전 자동 48핀 파라미터 테스트 시스템이다. S540은 SiC(탄화 규소) 및 GaN(질화 갈륨)을 포함한 최신 화합물 전력 반도체 재료용으로 최적화돼 있으며, 고전압, 저전압 및 커패시턴스 테스트를 한번의 프로브 터치로 측정할 수 있다. 전력 반도체 소자에 대한 수요가 계속 증가하고 SiC와 GaN의 상용화가 확산됨에 따라 제조업체들은 수율을 최적화하고 수익성을 개선하기 위해 양산 공정에 웨이퍼 수준 테스트를 도입하고 있다. 이러한 애플리케이션을 위해 S540은 테스트 시간과 테스트 설정 시간, 점유 공간을 최소화함으로써 소유 비용을 낮추는 동시에 실험실 등급의 고전압 측정 성능까지 제공한다. 텍트로닉스 키슬리 제품군의 총 책임자인 마이크 플래어티(Mike Flaherty)는 “많은 제조 시설이 전력 반도체 테스트를 위해 맞춤형으로 제작된 하이브리드 테스트 시스템을 사용 중인데 이 경우 저전압에서 고전압 테스트로 전환할 때 수동으로 테스트 설정을