인피니언 테크놀로지스는 업계 최초로 쇼트키 다이오드를 통합한 산업용 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 트랜지스터를 출시한다고 16일 밝혔다. 쇼트키 다이오드가 통합된 중전압 CoolGaN 트랜지스터 G5 제품군은 불필요한 데드타임 손실을 줄여 전력 시스템의 성능을 향상시키고 전체 시스템 효율을 더욱 높인다. 또한 이 통합 솔루션은 전력 스테이지 설계를 간소화하고 BOM(Bill of Material) 비용도 절감한다. 하드 스위칭 애플리케이션에서 GaN 기반 토폴로지는 GaN 디바이스의 더 큰 유효 바디 다이오드 전압(VSD)으로 인해 더 큰 전력 손실이 발생할 수 있다. 컨트롤러 데드타임이 길어질수록 이러한 문제가 심화돼 목표 효율보다 낮아질 수 있다. 기존에는 전력 설계 엔지니어들이 GaN 트랜지스터와 병렬로 외부 쇼트키 다이오드를 사용하거나 컨트롤러를 통해 데드타임을 줄이는 등의 추가 작업이 필요했다. 하지만 이는 시간과 비용 면에서 비효율적이다. 인피니언의 새로운 CoolGaN 트랜지스터 G5는 서버 및 통신 IBC, DC-DC 컨버터, USB-C 배터리 충전기용 동기식 정류기, 고전력 PSU 및 모터 드라이브에 적합한 쇼트키 다이오드가 통합된 GaN
전기차를 비롯한 자동차의 다양한 차내 응용 분야에 적합해 넥스페리아가 오늘 650V, 10A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드의 자동차 인증(PSC1065H-Q) 획득을 발표했다. 2핀(R2P) DPAK(TO-252-2) 패키징으로 제공되는 이 소자는 전기차를 비롯한 자동차의 다양한 차내 응용 분야에 적합하다. 넥스페리아는 SiC 다이오드 포트폴리오를 추가로 확장해 TO-220-2, TO-247-2 및 D2PAK-2 패키징에서 정격 전류가 6A, 16A 및 20A인 산업용 등급 소자도 제공함으로써 설계 유연성을 높여주고 있다. 이 다이오드 제품들은 스위치 모드 전원 공급 장치, AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 충전 인프라, 모터 드라이브, 무정전 전원 공급 장치 및 지속 가능한 에너지 생산용 태양광 인버터 등의 까다로운 고전압 및 고전류 응용 제품이 갖는 문제를 해결한다. 이 소자의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 서지 전류에 대한 뛰어난 견고성으로 유사한 경쟁 SiC 다이오드에 비해 추가적인 이점을 제공한다. 이에 추가 보호 회로망이 필요하지 않으므로 시스템 복잡성이 크게 줄어, 하드웨어 설계자는 견고한 고전력 응용 제품에서 더 작은
쇼트키 다이오드 시험 수행 통해 우주 환경에서 해당 반도체 부품 적합성 판단 큐알티가 국책과제 ‘우주급 다이오드 부품 개발’의 신뢰성 및 방사선 시험 수행기관으로 참여한다고 18일 밝혔다. 한국항공우주연구원이 주관하는 국책과제 ‘우주급 다이오드 부품 개발’의 수행 기간은 2024년 말까지로, 약 30개월 동안 진행된다. 우주항공 분야의 핵심 반도체 부품 중 하나인 쇼트키 다이오드(SBD, Schottky Barrier Diode)는 일반 다이오드와 달리 금속과 반도체의 접합으로 이루어져 순방향 전압강하가 낮고, 스위칭 속도가 빨라 시스템 효율성이 높다는 강점이 있지만, 동시에 누설 전류 제한을 위한 철저한 설계 검증이 요구된다. 큐알티는 우주항공 분야의 핵심 반도체 부품 중 하나인 ‘쇼트키 다이오드’ 시험 수행을 맡아 우주 환경에서 해당 반도체 부품의 적합성 시험을 수행해 신뢰성을 확보하는 과업을 맡게 됐다. 우주항공 분야에 필수 적용되는 미국 국방성 군사 표준 규격 ‘밀스펙(MIL-STD-750)’에 따라, 기계적 충격 시험, 환경 시험, 수명 시험, 패키지 시험, 방열 시험, 방사선 시험 등을 종합적으로 진행해 품질 확보에 기여한다는 계획이다. 특히, 방