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프랜트 배선판 도금 기술의 화두

  • 등록 2014.04.28 11:29:04
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프린트 배선판 도금 기술의 화두

배선판제조기술위원회




최근 프린트 배선판의 비약적인 발전과 함께 미세화·고성능화·박막화·절전화·저비용화 등의 요구가 늘어나면서 도금 기술 측면에서도 균막성 향상, 박막의 비아필링, 방열 대응 기술, 평탄 기판에서의 밀착성 확보 등 많은 과제가 발생했다.
따라서 현재 프린트 배선판 내 도금 기술에 대해 「일본실장학회지」 최신호에서 배선판제조기술위원회가 ‘프린트 배선판 도금 기술의 화두’라는 글을 통해 자세히 설명했다.
현재 정보처리의 고속화와 대용량화로 인해 기판에 고주파에 대한 대책 마련이 요구되고 있는 상황에서 이에 대한 대책으로 기판 표면의 평탄화가 주목받고 있다.
하지만 기판 표면이 평탄해지고 회로가 가늘어지면 기판과 회로(도금막) 사이의 밀착성을 확보하기 어려운 문제가 있다. 따라서 기존의 물리적인 앵커 효과에 따른 밀착이 아닌 기계를 손상하지 않고 밀착할 수 있는 프로세스에 대한 요구가 커졌다.
이에 대한 대안으로 이 글에서 설명한 방법은 ‘저조도 고밀착 프로세스’인데, 이 프로세스의 공정은 네 단계로 구성되며 기계적·화학적 면에서 밀착력 향상에 기여하는 것으로 알려져 있다. 이에 대한 공정은 다음과 같다.
①Initiator-스프레이 처리로 약품이 절연층에 부여된다. 따라서 약품에 포함되는 용제 성분은 절연층에 침투해 절연층의 균일한 에칭을 촉진함으로써 후속 공정에서 스미어를 효과적으로 제거할 수 있다.
②Baking-과잉 용제 성분을 제거해 첨가제와 절연층의 반응을 촉진한다.
③Oxidizer-과망간산의 산화력에 의해 스미어를 제거한다.
④Reducer-전 공정에서 사용한 이산화망간층을 제거한다.
이 공정을 사용해 시판 중인 에폭시계 수지 3종류를 기존의 Semi-Addictive(SAP)용 디스미어 프로세스와 새로운 프로세스로 각각 처리한 후 무전해 구리 1㎛, 전해구리 30㎛의 도금 피막을 석출시켜 밀착력을 평가했다. 평가 결과 이 프로세스를 사용했을 때 표면 조도는 약간 증가하고 밀착강도는 높게 나타난다는 것을 확인할 수 있었다.










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