포항시는 산업통상자원부가 추진한 '와이드밴드갭 소재 기반 차량용 전력반도체 제조공정 기반구축 공모사업'에 선정됐다고 밝혔다. 와이드밴드갭 반도체는 실리콘보다 큰 밴드갭을 갖는 반도체 소재인 탄화규소, 질화갈륨, 산화갈륨으로 생산한 차세대 반도체다. 기존 실리콘 소재 기반 반도체보다 초고속·고효율·고온으로 극한 환경에서 뛰어나다는 특성이 있다. 정부는 지난해 전 세계적 차량용 반도체 수급 불안 등 문제에 효과적으로 대응하기 위해 차세대 전력반도체 기술개발 및 생산역량 확충방안을 발표했다. 이에 시는 정부에 와이드밴드갭 소재 기반의 차세대 차량용 전력반도체 상용화를 지원하기 위한 사업을 제안해 공모에 선정됐다. 시는 올해부터 2024년까지 정부예산 92억5000만 원을 포함해 137억5000만 원을 들여 8인치 와이드밴드갭 소재 기반 전력반도체 핵심 공정장비를 도입해 표준공정 기술을 개발하고 시험장을 구축하며 맞춤형 시제품을 제작할 계획이다. 이장식 시장 권한대행은 "포항을 거점으로 구미, 대구, 부산 등과 초광역권 협력을 통해 '와이드밴드갭 소재 기반 반도체 산업'을 선도하겠다"고 말했다. 헬로티 서재창 기자 |
경북 포항시는 산업통상자원부가 추진한 '와이드밴드갭 소재 기반 차량용 전력반도체 제조공정 기반구축 공모사업'에 선정됐다고 2일 밝혔다. 와이드밴드갭 반도체는 실리콘보다 큰 밴드갭(전자가 존재하지 않는 공간)을 갖는 반도체 소재인 탄화규소, 질화갈륨, 산화갈륨으로 생산한 차세대 반도체다. 기존 실리콘 소재 기반 반도체보다 초고속·고효율·고온으로 극한 환경에서 뛰어나다는 특성이 있다. 정부는 지난해 전 세계적 차량용 반도체 수급 불안 등 문제에 효과적으로 대응하기 위해 차세대 전력반도체 기술개발 및 생산역량 확충방안을 발표했다. 이에 시는 정부에 와이드밴드갭 소재 기반의 차세대 차량용 전력반도체 상용화를 지원하기 위한 사업을 제안해 공모에 선정됐다. 시는 올해부터 2024년까지 정부예산 92억5천만원을 포함해 137억5천만원을 들여 8인치 와이드밴드갭 소재 기반 전력반도체 핵심 공정장비를 도입해 표준공정 기술을 개발하고 시험장을 구축하며 맞춤형 시제품을 제작할 계획이다. 이장식 시장 권한대행은 "포항을 거점으로 구미, 대구, 부산 등과 초광역권 협력을 통해 '와이드밴드갭 소재 기반 반도체 산업'을 선도하겠다"고 말했다.
SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로 매출 예상 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 분야에서 상당한 생산 능력을 추가해 전력 반도체 시장 리더십을 강화한다고 밝혔다. 인피니언은 말레이시아 쿨림 공장에 20억 유로 이상을 투자해 세 번째 모듈을 건설한다. 새로운 모듈이 완공되면 SiC 및 GaN 기반 제품으로 연간 20억 유로의 추가 매출이 창출될 것이으로 보인다. 인피니언은 이미 3000개 이상의 고객사에 SiC 제품을 공급하고 있다. SiC 반도체는 실리콘 기반 솔루션에 비해 효율, 크기 및 비용 면에서 더 나은 시스템 성능을 제공하며, 산업용 전원 공급 장치, 태양광, 운송, 드라이브, 자동차 및 EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하다. 인피니언은 2020년대 중반까지 SiC 기반 전력 반도체 10억 달러 매출을 목표로 하고 있다. GaN 시장도 2020년 4700만 달러에서 2025년 8억100만 달러로 크게 성장할 것으로 예상된다. 인피니언은 첨단 시스템 및 애플리케이션에 대한 이해와 광범위한 GaN IP 포트폴리오 및 대규모 R&D 인력을 보유하고 있다. 팹은 오는 6월 착공을 시작으로
헬로티 서재창 기자 | ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 고효율 와이드 밴드갭 기술로 보다 간편하게 이행하도록 최대 45W 및 150W 애플리케이션을 각각 지원하는 MasterGaN3 및 MasterGaN5 통합 전력 패키지를 출시했다. 65~400W 애플리케이션을 대상으로 하는 MasterGaN1, MasterGaN2, MasterGaN4에 이어 새롭게 추가된 이번 디바이스들은 스위칭 모드 전원공급장치, 충전기, 어댑터, 고전압 PFC(Power-Factor Correction), DC/DC 컨버터 설계 시 최적의 GaN 디바이스와 드라이버 솔루션을 선택하도록 유연성을 추가로 제공한다. ST의 MasterGaN 개념은 일반 실리콘 MOSFET에서 GaN 와이드 밴드갭 전력 기술로 간편하게 이행하게 해준다. 이 디바이스는 최적화된 고전압 게이트 드라이버와 관련된 안전 및 보호 회로, 그리고 두 개의 650V 전력 트랜지스터를 통합해 게이트 드라이버와 회로 레이아웃 설계 문제를 해결한다. 더 높은 스위칭 주파수를 제공하는 GaN 트랜지스터를 결합한 이 통합 디바이스는 실리콘 기반 설계에 비해 최대 80% 작으면서도 매우 견고하고 안정적인 전원공급장치를 구현
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UPDATE: 2024년 04월 26일 17시 31분
