헬로티 –매일 만나는 첨단 산업, 경제, IT 소식

일반뉴스 HBM4 준비하는 SK하이닉스, 차세대 패키징 기술 적용한다

어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술 모두 검토해 적용할 예정 SK하이닉스가 맞춤형 고대역폭 메모리(HBM)인 6세대 제품 HBM4에 맞춰 차세대 패키징 기술 개발에 속도를 낸다. HBM4 16단부터는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓰겠다는 계획이다. 이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 자사 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "커스텀 HBM에 맞춰 차세대 패키징 기술을 개발하겠다"며 "방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술을 확보할 계획"이라고 밝혔다. HBM은 D램을 여러 개를 쌓아 만든다. 적층 수가 많아질수록 방열, 휨 현상 등이 발생해 이를 해결할 패키징 기술이 필수적이다. 특히 하이브리드 본딩 기술은 16단 이상 HBM 제품에서 필요성이 커지고 있다. 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이 기술을 활용하면 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다는 강점이 있다. 이 부사장은 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을

서재창 기자

2024-08-05 15:55

프로덕트 SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발

상반기 내 양산 준비 완료…"최첨단 D램 시장 주도권 강화" SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하는 데 성공했다. SK하이닉스는 HBM3 24GB 신제품 샘플을 다수의 글로벌 고객사에 제공해 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. HBM(고대역폭 메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로, HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품이다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는 "지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"며 "최근 인공지능(AI) 챗봇 산업이 확대되면서 늘어나는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이

김진희 기자

2023-04-22 19:55