일반뉴스 中 “자국이 개발한 EUV 노광장비, 유의미한 기술 진보 이뤄“

중국이 자국산 반도체 심자외선(DUV) 노광장비 2종이 중요한 기술적 도약을 이뤘다고 주장했다. 15일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 중국 공업정보화부는 이번주 발간한 '주요 기술 장비' 신규 목록에서 이같이 밝혔다. 공업정보화부는 이 노광장비들이 "중요한 기술적 도약을 이뤘고 자체 지식재산권을 보유했지만 아직 시장에 나오지는 않았다"고 설명했다. 그러나 해당 장비 2종의 제작사 이름은 공개하지 않았다. 중국이 개발했다는 2종 DUV 노광장비중 하나는 파장 193나노미터에서 작동하며 해상도 65나노 미만, 오버레이 정확도 8나노 미만이다. 다른 하나는 파장 248나노, 해상도 110나노, 오버레이 정확도 25나노다. 이 두 장비 모두 여전히 현재 시장에서 구할 수 있는 최첨단 제품보다는 한참 뒤처져 있다. 일례로 네덜란드 반도체 장비업체 ASML의 최첨단 DUV 노광장비는 해상도 38나노 미만, 오버레이 정확도 1.3나노급이다. 게다가 DUV 노광장비보다 훨씬 짧은 13.5나노 파장을 사용하는 극자외선(EUV) 노광장비도 이미 상용화됐다. 노광은 반도체 기판에 고도로 복잡한 회로 패턴을 새기는 공정이다. 중국은 반도체 자립자족을 위해 수년간

• 서재창 기자
• 2024-09-16 23:55