송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 예정

 

파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. 

 

SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불리고 있다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터 센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다. 

 

 

파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업으로 글로벌 유일하게 3개 소자를 다룬다. 최근엔 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다. 

 

특히 이번 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례다. 파워큐브세미 경신수 CTO는 “기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다”고 밝혔다. 2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다. 

 

2023년 12월 과학기술정보통신부는 전력반도체를 국가전략기술로 지정하고 공급망 국산화를 목표로 다양한 정책을 시도하고 있으나, 아직까지 인피니언, 온세미컨덕터, ST마이크로, 울프스피드 등 해외 기업이 주도하고 있다. 이번 개발 사례로 파워큐브세미와 같은 국내 강소기업이 전력반도체 국산화에 성공할 수 있을지 귀추가 주목된다. 

 

파워큐브세미 강태영 대표는 “수 년간의 노력이 결과물로 나오게 돼 기쁘다. 단순한 개발 사례로 끝나지 않고 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 및 판매할 수 있도록 만전을 기하겠다” 고 밝혔다.

 

헬로티 서재창 기자 |