삼성전자 "12나노급 32Gb DDR5 D램 ,연내 양산할 계획"

 

삼성전자가 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 

 

1983년 64Kb D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 했다. 

 

 

특히, 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량 구현해 128GB 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 됐다. 또한, 동일 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터 센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 적합한 솔루션이 될 것으로 기대된다. 

 

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 계획이다. AI 시대를 주도 할 고용량, 고성능, 저전력 제품으로 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D램 시장을 견인할 예정이다. 

 

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며, “삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복할 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.

 

헬로티 서재창 기자 |