효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점 제공

 

인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 오늘 업계 최초로 300mm 파워 GaN(갈륨 나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 발표했다. 

 

이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것으로 예상된다. 300mm 웨이퍼는 200mm 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기에 생산성과 효율성이 크게 향상된다. 

 

 

GaN 기반 전력 반도체는 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 모터 제어 시스템 등 산업, 자동차, 컨슈머, 컴퓨팅 및 통신 애플리케이션에서 빠르게 채택되고 있다. 최첨단 GaN 제조 공정은 디바이스 성능 향상으로 이어져 고객의 애플리케이션에서 효율적인 성능, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 전체 비용 절감 등의 이점을 제공한다.

 

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것이다. 이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 GaN을 최대한 활용할 수 있도록 할 것이다. 인피니언은 Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이드), GaN을 모두 공급하는 전력 시스템 분야의 리더다"고 말했다.

 

인피니언은 오스트리아 빌라흐에 위치한 파워 팹의 기존 300mm 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다. 인피니언은 기존 300mm 실리콘과 200mm GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하며, 시장 수요에 맞춰 GaN 생산 능력을 확장할 것이다.

 

300mm GaN 기술의 중요한 이점은 갈륨 나이트라이드와 실리콘이 제조 공정에서 유사하기에 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있다는 점이다. 인피니언의 대규모 실리콘 300mm 생산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술을 적용하기에 이상적이며, 이를 통해 구현을 가속화하고 자본을 효율적으로 사용할 수 있을 것으로 보인다.

 

헬로티 서재창 기자 |